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杏鑫官网_新型晶体将电子限制在一维空间 可用于开发自旋电子器件

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portant; margin-bottom: 25px !important; font-size: 14px !important; line-height: 34px !important; text-align: center !important;”>(图片来源:东京大学)

portant; font-size: 17px !important; line-height: 34px !important;”>在自旋电子学应用中,需要使用一种名为拓扑绝缘体的新型电子材料。与其他三种材料不同,这种材料整体绝缘,只沿表面导电。它并不传导电子流,而是电子的自旋或角动量。众所周知,这种自旋电流可能成为打开新世界的钥匙,用于制造超高速和低功耗设备。

portant; font-size: 17px !important; line-height: 34px !important;”>为了开发这种三维晶体,Kondo及其团队以某种方式将单原子厚度二维晶体片堆叠在一起。无论强或弱拓扑绝缘体,堆叠晶片均沿相同方向排列。然而,为了构建高阶拓扑绝缘体,晶片的方向交替出现,如同正反面相对的扑克牌。这种微妙的排列变化,使所开发出的三维晶体发生巨大变化。

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